東北大学 未来科学技術共同研究センター 長研究室

概要

• 日程：2015年9月13日~9月16日
• 会場：名古屋国際会議場
• 参加者：長教授，山末助教，平永助教，茅根（D2)，廣瀬（M1)
• 以下の６件のタイトルの発表を行いました
  1. 超高次走査型非線形誘電率顕微鏡法による次世代パワー半導体デバイスの評価と走査型非線形誘電率ポテンショメトリの提案【invited】
  2. SNDMプローブによる線形誘電率分布の新規測定法を用いた誘電体薄膜の評価
  3. SNDMプローブを用いたナノスケール線形誘電率分布マッピング
  4. 超高次非線形誘電率顕微鏡法を用いたSiO2/SiC界面評価技術の検討
  5. 超高次走査型非線形誘電率顕微鏡による単結晶Si太陽電池の光照射によるキャリア分布変化の測定
  6. 非接触走査型非線形誘電率ポテンショメトリによる4H-SiC(0001)上グラフェンの観察

写真レポート

会場。今回は大学ではなく国際会議場でした

銅像

次は春に東工大で行われます。