東北大学 未来科学技術共同研究センター 長研究室

概要

• 日程：2015年11月1日~11月5日
• 会場：Oregon Convention Center, Portland, OR, U.S.A.
• 参加者：長教授,茅根（D2)，廣瀬（M1)
• 以下のタイトルの２件の発表を行いました
  1. Carrier Redistribution Analysis of Gate-Biased SiC Power MOSFET Using Super-Higher-Order Scanning Nonlinear Dielectric Microscopy
  2. Observation of Polarization and Two Dimensional Electron Gas in AlGaN/GaN Heterostructure Using Scanning Nonlinear Dielectric Microscopy

写真レポート

成田空港でくつろぐ廣瀬君

ポートランドの橋の上で

ポスター発表（廣瀬君）

ボディラングエッジも英会話の内

ポスター発表（茅根君）

ポスターの合間で

オレゴン科学産業博物館で喜々として遊ぶD2

オレゴン科学産業博物館の目玉（潜水艦）

潜水艦内部とMr. Submarine

魚雷発射管

潜水乗組員（１）

潜水艦乗組員（２）

来年は米国Fortworthで開催されます．