概要
- 日程:2016年3月19日~3月22日
- 会場:東京工業大学大岡山キャンパス
- 参加者:長教授,山末助教,平永助教,茅根(D2),向出(M2),廣瀬(M1),劉(M1),陳(M1)
- 以下の8件のタイトルの発表を行いました
- 走査型非線形誘電率ポテンショメトリによる表面自発分極の測定に関する検討
- SNDM線形誘電率ナノイメージングにおける空間分解能の数値解析
- SNDM線形誘電率ナノイメージングに関する有限要素法シミュレーション
- 超高次非線形誘電率顕微鏡法を用いた局所DLTS法の提案とSiO2/SiC界面評価への応用
- 非接触走査型非線形誘電率ポテンショメトリとケルビンプローブフォース顕微鏡法の実験的比較
- 超高次走査型非線形誘電率顕微鏡法を用いた単結晶シリコン太陽電池のリンイオン注入エミッタ層におけるキャリア分布の可視化
- 走査型非線形誘電率顕微鏡を用いたdC/dVとdC/dz測定によるキャリア濃度の定量化に関する研究
- 走査型非線形誘電率顕微鏡における強誘電性Y:HfO2薄膜のドメイン反転
写真レポート
最終日前夜、ホテルの近くにある居酒屋での打ち上げ(?)
みんな、カメラ目線でお願いします!
今回は8件の発表ができ、写真を撮ることすら忘れてしまうほど充実した学会でした。