概要
- 日 程:2016年11月27日-12月7日
- 会 場:Hynes Convention Center, Boston, MA, USA & Hilton San Francisco Union Square, San Francisco, CA, USA
- 参加者:長教授
- MRS Fall meeting 2016に参加し下記の2件の発表を行いました.
- Local Deep Level Transient Spectroscopy Imaging for Characterization of Two-Dimensional Trap Distribution in SiO2/SiC Interface Using Super-Higher-Order Scanning Nonlinear Dielectric Microscopy
- Universal Parameter Characterizing SiO2/SiC Interface Quality Based on Scanning Nonlinear Dielectric Microscopy
- 引き続きIEDM2016に参加いたしました.
写真レポート
Boston茶会事件現場1

Boston茶会事件現場2

会場内1

会場内2

サンフランシスコのケーブルカー(1)

サンフランシスコのケーブルカー(2)

MRSは世界最大の材料科学の学会,IEDMは世界最高権威の半導体素子の学会です.