概要
- 日程:2017年3月14日-3月17日
- 会場:パシフィコ横浜(神奈川,横浜)
- 参加者:長教授, 山末准教, 平永助教, 山岸助教, 茅根(D3), 廣瀬(M2)
- 発表:
- 走査型非線形誘電率ポテンショメトリを用いたGaN の自発分極測定に関する実験的検討
- 電流計測AFMとSNDMによるSiO2/4H-SiC界面の不均一性評価
- ∂C/∂z-SNDM法によるナノスケール線形誘電率分布の定量測定
- 走査型非線形誘電率顕微鏡を用いたリンイオン注入単結晶Si太陽電池の活性化ドーパント分布の定量評価及び実効拡散係数の推定
- 走査型非線形誘電率顕微鏡を用いた局所DLTSによる界面トラップ分布の時定数依存性の観察
- 走査型非線形誘電率顕微鏡を用いたナノスケール分極反転過程の動的観察
写真レポート
半年に一度,恒例の応用物理学会に参加いたしました.
今年の会場はパシフィコ横浜です.
会場
会場近くにはランドマークタワーがありました.
また,学会恒例の現地での飲み会はおいしい中華料理をいただきました
ランドマークタワー
中華料理店にて
今度の秋の応物は福岡です.