48th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference(IEEE SISC)

概要

  • 日程:2017年12月6日-12月9日
  • 会場:Bahia Resort Hotel, San Diego, CA, U.S.A.
  • 参加者:長教授
  • IEEE SISCに参加し下記の発表を行いました.
  • Quantitative imaging of MOS interface trap using local deep level transient spectroscopy based on scanning nonlinear dielectric microscopy

写真レポート

Bahia Resort Hotelからの景色

オープニングセレモニー

カンファレンスバンケットはクルーズ船中で開催されました

来年度も同じサンディエゴで開催予定.