2016 MRS Fall Meeting & Exhibit & 2016 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)

概要

  • 日 程:2016年11月27日-12月7日
  • 会 場:Hynes Convention Center, Boston, MA, USA & Hilton San Francisco Union Square, San Francisco, CA, USA
  • 参加者:長教授
  • MRS Fall meeting 2016に参加し下記の2件の発表を行いました.
    1. Local Deep Level Transient Spectroscopy Imaging for Characterization of Two-Dimensional Trap Distribution in SiO2/SiC Interface Using Super-Higher-Order Scanning Nonlinear Dielectric Microscopy
    2. Universal Parameter Characterizing SiO2/SiC Interface Quality Based on Scanning Nonlinear Dielectric Microscopy
  • 引き続きIEDM2016に参加いたしました.

写真レポート

Boston茶会事件現場1

Boston茶会事件現場2

会場内1

会場内2

サンフランシスコのケーブルカー(1)

サンフランシスコのケーブルカー(2)

MRSは世界最大の材料科学の学会,IEDMは世界最高権威の半導体素子の学会です.