The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2017) & 28th European Symposium on Reliability of Dlectron Devices, Failure Physics and Analysis(ESREF2017)

概要

  • 日程:2017年9月17日~9月28日
  • 会場:Marriot Wardma Park, Washington DC, U.S.A. & Centre des Congres, BORDEAUX, France
  • 参加者:長教授,山岸特任助教
  • ICSCRM 2017にて以下のタイトルの発表を行いました
    1. DC bias dependence of local deep level transient spectroscopy signal and quantitative two-dimensional imaging of SiO2/SiC interface trap density
    2. Improvement of Local Deep Level Transient Spectroscopy for Microscopic Evaluation of SiO2/4H-SiC Interfaces

  • 引き続きESREF 2017にて以下のタイトルの発表を行いました
  • DC bias dependence of local deep level transient spectroscopy spectrum and quantitative two-dimensional imaging of SiO2/SiC interface trap density

写真レポート

ICSCRM 2017の初日基調講演をする奥村元産総研先進パワーエレクトロニクス研究センター長

それを聴くSiCの生みの親松波京都大学名誉教授

ICSCRM 2017のエクスカーションで訪れたスミソニアン 航空宇宙博物館 別館

スティーブン・F・ウドヴァーヘイジー・センター内に展示してあるエノラ・ゲイ(広島に原爆を投下したB29)

B29の迎撃に使われた日本軍夜間戦闘機月光

ホワイトハウス

アメリカのスレーキ(フィレ)

場所は変わりフランスボルドーの市街

ボルドーの路面電車

ESREF2017のオープニングセレモニー

ボルドーの亀

世界一周の旅でした.