東北大学
未来科学技術共同研究センター
長研究室
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本研究室では
ナノテクノロジーを駆使した
電子材料の誘電計測に関する研究の発展と、
その成果を高性能次世代電子デバイスの開発に応用する事を目的として研究を進めています。
NEWS & TOPICS
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The 2023 IEEE International Ultrasonics Symposium&Dr.Chen in Ottawa
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The 7th Electron Devices Technology and Manufacturing Conference (IEEE EDTM 2023)
- 2023/3
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Korea Advanced Institute of Science and Technology (KAIST) 訪問
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3年ぶりに広瀬川河畔で芋煮会を開催しました.芋煮会
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長教授世界の旅シリーズ再開です.
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長教授の最終講義を今でもオンラインで見る事ができます。詳細はこちら
メッセージ
共同研究をご希望の方へ
本研究室は、ナノテクノロジーを駆使して、電子材料の誘電計測に関する研究の発展を図ることと、その成果を高性能次世代電子デバイスの開発へ応用することを目的・目標としております。具体的には本分野では、強誘電体、常誘電体、圧電体材料など誘電材料一般及び半導体素子の評価・開発及びそれらを用いた高機能電子情報デバイスや記憶素子の研究・開発を行っております。
もう少し詳細に述べますと、超音波や光及び半導体強誘電メモリ(Fe-RAM)等に多用され、近年その発展がめざましい強誘電体単結晶や薄膜の分極分布や様々な結晶の局所的異方性及び半導体中の電荷分布が高速かつ高分解能に観測できる走査型非線形誘電率顕微鏡(SNDM)を開発しています。この顕微鏡は非線形誘電率(非線形静電容量)の分布計測を通して、誘電体の分極分布や半導体中の電荷分布及び結晶性の評価が焦電現象や圧電現象、......